GA10SICP12-263 Prezos (USD) [3349unidades de stock]
- 1 pcs$19.21305
- 10 pcs$17.77033
- 25 pcs$16.32929
- 100 pcs$15.17669
- Número de peza:
- GA10SICP12-263
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrición detallada:
- TRANS SJT 1200V 25A TO263-7.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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GA10SICP12-263 Atributos do produto
Número de peza :
GA10SICP12-263
Fabricante :
GeneSiC Semiconductor
Descrición :
TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
-
Tecnoloxía :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
25A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Vgs (máximo) :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1403pF @ 800V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
170W (Tc)
Temperatura de operación :
175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D2PAK (7-Lead)
Paquete / Estuche :
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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