IXTH200N10T Prezos (USD) [14773unidades de stock]
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- 10 pcs$2.75966
- 100 pcs$2.26899
- 500 pcs$1.90103
- 1,000 pcs$1.65573
- Número de peza:
- IXTH200N10T
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 200A TO-247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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IXTH200N10T Atributos do produto
Número de peza :
IXTH200N10T
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
Serie :
TrenchMV™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
200A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
152nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
9400pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
550W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247 (IXTH)
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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