VMO550-01F Prezos (USD) [570unidades de stock]
- 1 pcs$85.86105
- 2 pcs$85.43388
- Número de peza:
- VMO550-01F
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Diodos - Zener - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Transistores - Finalidade especial ...
- Ventaxa competitiva:
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VMO550-01F Atributos do produto
Número de peza :
VMO550-01F
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB
Serie :
HiPerFET™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
590A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.1 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
6V @ 110mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
2000nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
50000pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2200W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
Y3-DCB
Paquete / Estuche :
Y3-DCB
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