Vishay Siliconix - SI4862DY-T1-GE3

KEY Part #: K6392825

SI4862DY-T1-GE3 Prezos (USD) [53269unidades de stock]

  • 1 pcs$0.73769
  • 2,500 pcs$0.73402

Número de peza:
SI4862DY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOIC.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: TRIAC, Diodos - Zener - Single and Transistores - IGBTs - Single ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SI4862DY-T1-GE3 electronic components. SI4862DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4862DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4862DY-T1-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SI4862DY-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOIC
Serie : TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 16V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 17A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 25A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 600mV @ 250µA (Min)
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 70nC @ 4.5V
Vgs (máximo) : ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : -
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1.6W (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 8-SO
Paquete / Estuche : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)