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- Número de peza:
- SUD50N03-12P-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 16.8A TO252.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Módulos de controlador de enerxía, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Finalidade especial and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SUD50N03-12P-GE3 electronic components. SUD50N03-12P-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUD50N03-12P-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SUD50N03-12P-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SUD50N03-12P-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 16.8A TO252
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
16.8A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
42nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1600pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
39W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-252
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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