IXYS - IXFH24N90P

KEY Part #: K6394912

IXFH24N90P Prezos (USD) [9347unidades de stock]

  • 1 pcs$4.87386
  • 60 pcs$4.84961

Número de peza:
IXFH24N90P
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CH TO-247.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in IXYS IXFH24N90P electronic components. IXFH24N90P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH24N90P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH24N90P Atributos do produto

Número de peza : IXFH24N90P
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CH TO-247
Serie : HiPerFET™, PolarP2™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 900V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 24A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 7200pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 660W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-247AD (IXFH)
Paquete / Estuche : TO-247-3