EPC - EPC8009

KEY Part #: K6403216

EPC8009 Prezos (USD) [37110unidades de stock]

  • 1 pcs$1.10653
  • 2,500 pcs$1.10102

Número de peza:
EPC8009
Fabricante:
EPC
Descrición detallada:
GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC8009 Atributos do produto

Número de peza : EPC8009
Fabricante : EPC
Descrición : GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
Serie : eGaN®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : GaNFET (Gallium Nitride)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 65V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 2.7A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 0.45nC @ 5V
Vgs (máximo) : +6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 52pF @ 32.5V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : -
Temperatura de operación : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : Die
Paquete / Estuche : Die