CSD85312Q3E Prezos (USD) [244691unidades de stock]
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- Número de peza:
- CSD85312Q3E
- Fabricante:
- Texas Instruments
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
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CSD85312Q3E Atributos do produto
Número de peza :
CSD85312Q3E
Fabricante :
Texas Instruments
Descrición :
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Serie :
NexFET™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Common Source
Función FET :
Logic Level Gate, 5V Drive
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.4 mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
15.2nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2390pF @ 10V
Potencia: máx :
2.5W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivos de provedores :
8-VSON (3.3x3.3)
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