IRF3710ZLPBF Prezos (USD) [53136unidades de stock]
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- 500 pcs$0.34717
- 1,000 pcs$0.27408
- Número de peza:
- IRF3710ZLPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 59A TO-262.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
- Ventaxa competitiva:
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IRF3710ZLPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRF3710ZLPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
59A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
120nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2900pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
160W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-262
Paquete / Estuche :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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