SI5922DU-T1-GE3 Prezos (USD) [466812unidades de stock]
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- Número de peza:
- SI5922DU-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- Forma de envío:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Transistores - Finalidade especial ...
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SI5922DU-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SI5922DU-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
19.2 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
7.1nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
765pF @ 15V
Potencia: máx :
10.4W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® ChipFet Dual
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