TPH3208LSG Prezos (USD) [8238unidades de stock]
- 1 pcs$5.00194
- Número de peza:
- TPH3208LSG
- Fabricante:
- Transphorm
- Descrición detallada:
- GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
- Ventaxa competitiva:
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TPH3208LSG Atributos do produto
Número de peza :
TPH3208LSG
Fabricante :
Transphorm
Descrición :
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Serie :
-
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
GaNFET (Gallium Nitride)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
20A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 14A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 300µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
42nC @ 8V
Vgs (máximo) :
±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
760pF @ 400V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
96W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
3-PQFN (8x8)
Paquete / Estuche :
3-PowerDFN
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