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- Número de peza:
- IXTD1R4N60P 11
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - RF, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
- Ventaxa competitiva:
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IXTD1R4N60P 11 Atributos do produto
Número de peza :
IXTD1R4N60P 11
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 600V
Serie :
PolarHV™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1.4A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 25µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
5.2nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
140pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
50W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
Die
Paquete / Estuche :
Die
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