Número de peza :
GA04JT17-247
Fabricante :
GeneSiC Semiconductor
Descrición :
TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB
Tecnoloxía :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1700V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4A (Tc) (95°C)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
480 mOhm @ 4A
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
-
Disipación de potencia (máx.) :
106W (Tc)
Temperatura de operación :
175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247AB
Paquete / Estuche :
TO-247-3