IRLR3636PBF Prezos (USD) [1093unidades de stock]
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- Número de peza:
- IRLR3636PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: TRIAC, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
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IRLR3636PBF Atributos do produto
Número de peza :
IRLR3636PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
50A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 100µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
49nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3779pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
143W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D-Pak
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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