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- Número de peza:
- IRFSL4227PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 200V 62A TO-262.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: TRIAC, Transistores - IGBTs - Arrays and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFSL4227PBF electronic components. IRFSL4227PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFSL4227PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFSL4227PBF Atributos do produto
Número de peza :
IRFSL4227PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 200V 62A TO-262
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
62A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
98nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4600pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
330W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-262
Paquete / Estuche :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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