IXYS - IXFR15N100Q3

KEY Part #: K6397650

IXFR15N100Q3 Prezos (USD) [6036unidades de stock]

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  • 10 pcs$7.13581
  • 100 pcs$6.06544

Número de peza:
IXFR15N100Q3
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFR15N100Q3 Atributos do produto

Número de peza : IXFR15N100Q3
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
Serie : HiPerFET™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 10A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 4mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 64nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 3250pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 400W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : ISOPLUS247™
Paquete / Estuche : TO-247-3

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