FQU13N06LTU-WS Prezos (USD) [85018unidades de stock]
- 1 pcs$0.45991
- Número de peza:
- FQU13N06LTU-WS
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 60V 11A IPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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FQU13N06LTU-WS Atributos do produto
Número de peza :
FQU13N06LTU-WS
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Serie :
QFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
11A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
115 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
6.4nC @ 5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
350pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
I-PAK
Paquete / Estuche :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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