ON Semiconductor - FQU13N06LTU-WS

KEY Part #: K6417080

FQU13N06LTU-WS Prezos (USD) [85018unidades de stock]

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Número de peza:
FQU13N06LTU-WS
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - JFETs ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQU13N06LTU-WS Atributos do produto

Número de peza : FQU13N06LTU-WS
Fabricante : ON Semiconductor
Descrición : MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Serie : QFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 11A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 115 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 6.4nC @ 5V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 350pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : I-PAK
Paquete / Estuche : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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