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- Número de peza:
- SPD50N03S207GBTMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: TRIAC, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies SPD50N03S207GBTMA1 electronic components. SPD50N03S207GBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPD50N03S207GBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SPD50N03S207GBTMA1 Atributos do produto
Número de peza :
SPD50N03S207GBTMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
50A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 85µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
46.5nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2170pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
136W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO252-3
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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