IPSA70R950CEAKMA1 Prezos (USD) [108745unidades de stock]
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- 1,500 pcs$0.12495
- Número de peza:
- IPSA70R950CEAKMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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IPSA70R950CEAKMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPSA70R950CEAKMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
700V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
8.7A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 150µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
15.3nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
328pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
94W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO251-3-347
Paquete / Estuche :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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