Número de peza :
GKI06259
Descrición :
MOSFET N-CH 60V 6A 8DFN
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
6A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
16nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1050pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
3.1W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-DFN (5x6)
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN