Número de peza :
FDB8030L
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
80A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
170nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
10500pF @ 15V
Disipación de potencia (máx.) :
187W (Tc)
Temperatura de operación :
-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-263AB
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB