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- Número de peza:
- TPCF8A01(TE85L)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 20V 3A VS-8.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Finalidade especial, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
- Ventaxa competitiva:
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TPCF8A01(TE85L) Atributos do produto
Número de peza :
TPCF8A01(TE85L)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 20V 3A VS-8
Serie :
U-MOSIII
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
49 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 200µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
7.5nC @ 5V
Vgs (máximo) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
590pF @ 10V
Función FET :
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.) :
330mW (Ta)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
VS-8 (2.9x1.5)
Paquete / Estuche :
8-SMD, Flat Lead
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