IXYS - IXTP8N70X2M

KEY Part #: K6395108

IXTP8N70X2M Prezos (USD) [45618unidades de stock]

  • 1 pcs$1.23396
  • 10 pcs$1.05612
  • 100 pcs$0.84853
  • 500 pcs$0.65997
  • 1,000 pcs$0.54683

Número de peza:
IXTP8N70X2M
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO220.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - IGBTs - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in IXYS IXTP8N70X2M electronic components. IXTP8N70X2M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP8N70X2M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP8N70X2M Atributos do produto

Número de peza : IXTP8N70X2M
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO220
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 700V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 4A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 550 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 800pF @ 10V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 32W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220 Isolated Tab
Paquete / Estuche : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab