FDFM2N111 Prezos (USD) [233932unidades de stock]
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- Número de peza:
- FDFM2N111
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de controlador de enerxía and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDFM2N111 electronic components. FDFM2N111 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDFM2N111, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDFM2N111 Atributos do produto
Número de peza :
FDFM2N111
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
Serie :
PowerTrench®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
3.8nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
273pF @ 10V
Función FET :
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.) :
1.7W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
MicroFET 3x3mm
Paquete / Estuche :
6-WDFN Exposed Pad
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