Infineon Technologies - IRFP4127PBF

KEY Part #: K6399408

IRFP4127PBF Prezos (USD) [14681unidades de stock]

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Número de peza:
IRFP4127PBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 200V 75A TO-247AC.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Módulos de controlador de enerxía ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFP4127PBF Atributos do produto

Número de peza : IRFP4127PBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 200V 75A TO-247AC
Serie : HEXFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 75A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 5380pF @ 50V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 341W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-247AC
Paquete / Estuche : TO-247-3

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