FDMS86263P Prezos (USD) [80739unidades de stock]
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- Número de peza:
- FDMS86263P
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 150V 22A POWER 56.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
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FDMS86263P Atributos do produto
Número de peza :
FDMS86263P
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET P-CH 150V 22A POWER 56
Serie :
PowerTrench®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
150V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4.4A (Ta), 22A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
53 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
63nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3905pF @ 75V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-PQFN (5x6)
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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