R6035ENZ1C9 Prezos (USD) [16611unidades de stock]
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- 500 pcs$1.61748
- 1,000 pcs$1.36414
- Número de peza:
- R6035ENZ1C9
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V 35A TO247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - IGBTs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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R6035ENZ1C9 Atributos do produto
Número de peza :
R6035ENZ1C9
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
35A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
102 mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
110nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2720pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
120W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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