TK10V60W,LVQ Prezos (USD) [60727unidades de stock]
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- Número de peza:
- TK10V60W,LVQ
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
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TK10V60W,LVQ Atributos do produto
Número de peza :
TK10V60W,LVQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN
Serie :
DTMOSIV
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9.7A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 500µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
700pF @ 300V
Función FET :
Super Junction
Disipación de potencia (máx.) :
88.3W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
4-DFN-EP (8x8)
Paquete / Estuche :
4-VSFN Exposed Pad
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