BSC010N04LSTATMA1 Prezos (USD) [69484unidades de stock]
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- Número de peza:
- BSC010N04LSTATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- DIFFERENTIATED MOSFETS.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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BSC010N04LSTATMA1 Atributos do produto
Número de peza :
BSC010N04LSTATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
DIFFERENTIATED MOSFETS
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
39A (Ta), 100A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
133nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
9520pF @ 20V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TDSON-8 FL
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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