Infineon Technologies - IPD22N08S2L50ATMA1

KEY Part #: K6420600

IPD22N08S2L50ATMA1 Prezos (USD) [216805unidades de stock]

  • 1 pcs$0.17060
  • 2,500 pcs$0.16250

Número de peza:
IPD22N08S2L50ATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: SCRs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Diodos - RF ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Infineon Technologies IPD22N08S2L50ATMA1 electronic components. IPD22N08S2L50ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD22N08S2L50ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD22N08S2L50ATMA1 Atributos do produto

Número de peza : IPD22N08S2L50ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
Serie : OptiMOS™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 75V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 27A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 31µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 630pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 75W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PG-TO252-3
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Tamén pode estar interesado