IPD031N06L3GATMA1 Prezos (USD) [81292unidades de stock]
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- Número de peza:
- IPD031N06L3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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IPD031N06L3GATMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPD031N06L3GATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
100A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 93µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
79nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
13000pF @ 30V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
167W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO252-3
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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