FDS3512 Prezos (USD) [93051unidades de stock]
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- Número de peza:
- FDS3512
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Tiristores: SCRs, Tiristores: DIACs, SIDACs and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDS3512 electronic components. FDS3512 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS3512, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDS3512 Atributos do produto
Número de peza :
FDS3512
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Serie :
PowerTrench®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
80V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
18nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
634pF @ 40V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.5W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SOIC
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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