DMN2014LHAB-7 Prezos (USD) [437547unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMN2014LHAB-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Módulos de controlador de enerxía and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
- Ventaxa competitiva:
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DMN2014LHAB-7 Atributos do produto
Número de peza :
DMN2014LHAB-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
16nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1550pF @ 10V
Potencia: máx :
800mW
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
6-UFDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivos de provedores :
U-DFN2030-6 (Type B)
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