[14021unidades de stock]
- Número de peza:
- 1N4448,143
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos: rectificadores de ponte, Módulos de controlador de enerxía and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
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1N4448,143 Atributos do produto
Número de peza :
1N4448,143
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrición :
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
100V
Actual - Media rectificada (Io) :
200mA (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1V @ 100mA
Velocidade :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de recuperación inversa (trr) :
4ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
25nA @ 20V
Capacitancia @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
DO-204AH, DO-35, Axial
Paquete de dispositivos de provedores :
ALF2
Temperatura de funcionamento: unión :
200°C (Max)
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