NXP USA Inc. - 1N4448,143

KEY Part #: K6452136

[14021unidades de stock]


    Número de peza:
    1N4448,143
    Fabricante:
    NXP USA Inc.
    Descrición detallada:
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Arrays and Transistores - JFETs ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    1N4448,143 Atributos do produto

    Número de peza : 1N4448,143
    Fabricante : NXP USA Inc.
    Descrición : DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
    Serie : -
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo de diodo : Standard
    Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 100V
    Actual - Media rectificada (Io) : 200mA (DC)
    Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1V @ 100mA
    Velocidade : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Tempo de recuperación inversa (trr) : 4ns
    Actual - Fuga inversa @ Vr : 25nA @ 20V
    Capacitancia @ Vr, F : 4pF @ 0V, 1MHz
    Tipo de montaxe : Through Hole
    Paquete / Estuche : DO-204AH, DO-35, Axial
    Paquete de dispositivos de provedores : ALF2
    Temperatura de funcionamento: unión : 200°C (Max)

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