Vishay Semiconductor Diodes Division - ES2FHE3_A/I

KEY Part #: K6457298

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Número de peza:
ES2FHE3_A/I
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: TRIAC, Diodos - Zener - Arrays, Diodos - RF, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES2FHE3_A/I Atributos do produto

Número de peza : ES2FHE3_A/I
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 300V
Actual - Media rectificada (Io) : 2A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.1V @ 2A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 35ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 50V
Capacitancia @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-214AA, SMB
Paquete de dispositivos de provedores : DO-214AA (SMB)
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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