SQP50P03-07_GE3 Prezos (USD) [66251unidades de stock]
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- Número de peza:
- SQP50P03-07_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Módulos de controlador de enerxía and Transistores - Finalidade especial ...
- Ventaxa competitiva:
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SQP50P03-07_GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SQP50P03-07_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
50A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
155nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
5380pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
150W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220AB
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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