Número de peza :
APTM100UM45DAG
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
215A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
52 mOhm @ 107.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 30mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
1602nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
42700pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
5000W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SP6