Toshiba Semiconductor and Storage - TPH4R008NH,L1Q

KEY Part #: K6409663

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Número de peza:
TPH4R008NH,L1Q
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
MOSFET N CH 80V 60A SOP ADV.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Unión programable, Diodos: rectificadores de ponte, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH4R008NH,L1Q Atributos do produto

Número de peza : TPH4R008NH,L1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : MOSFET N CH 80V 60A SOP ADV
Serie : U-MOSVIII-H
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 80V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 60A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 59nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 5300pF @ 40V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 8-SOP Advance (5x5)
Paquete / Estuche : 8-PowerVDFN

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