IXYS - IXTN600N04T2

KEY Part #: K6398360

IXTN600N04T2 Prezos (USD) [3731unidades de stock]

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  • 10 pcs$11.81369
  • 100 pcs$10.08933

Número de peza:
IXTN600N04T2
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 40V 600A SOT-227.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Unión programable, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: SCRs, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTN600N04T2 Atributos do produto

Número de peza : IXTN600N04T2
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CH 40V 600A SOT-227
Serie : GigaMOS™, TrenchT2™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 600A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 590nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 40000pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 940W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores : SOT-227B
Paquete / Estuche : SOT-227-4, miniBLOC

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