Número de peza :
TK20V60W5,LVQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
20A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
55nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1800pF @ 300V
Disipación de potencia (máx.) :
156W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
4-DFN-EP (8x8)
Paquete / Estuche :
4-VSFN Exposed Pad