Número de peza :
SI4483ADY-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
19.2A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
135nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3900pF @ 15V
Disipación de potencia (máx.) :
2.9W (Ta), 5.9W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)