Vishay Siliconix - SI7115DN-T1-E3

KEY Part #: K6416239

SI7115DN-T1-E3 Prezos (USD) [88646unidades de stock]

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  • 3,000 pcs$0.37191

Número de peza:
SI7115DN-T1-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Zener - Single, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7115DN-T1-E3 Atributos do produto

Número de peza : SI7115DN-T1-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
Serie : TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 150V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 8.9A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 295 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1190pF @ 50V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operación : -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PowerPAK® 1212-8
Paquete / Estuche : PowerPAK® 1212-8

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