ON Semiconductor - FDG311N

KEY Part #: K6416166

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Número de peza:
FDG311N
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDG311N Atributos do produto

Número de peza : FDG311N
Fabricante : ON Semiconductor
Descrición : MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
Serie : PowerTrench®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 1.9A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 115 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 4.5nC @ 4.5V
Vgs (máximo) : ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 270pF @ 10V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 750mW (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : SC-88 (SC-70-6)
Paquete / Estuche : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363