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- Número de peza:
- SI5519DU-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Unión programable, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Zener - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI5519DU-T1-GE3 electronic components. SI5519DU-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5519DU-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI5519DU-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SI5519DU-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N and P-Channel
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
36 mOhm @ 6.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.8V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
17.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
660pF @ 10V
Potencia: máx :
10.4W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® ChipFet Dual
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