Número de peza :
IXTA1R6N100D2
Descrición :
MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1.6A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 Ohm @ 800mA, 0V
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
27nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
645pF @ 25V
Función FET :
Depletion Mode
Disipación de potencia (máx.) :
100W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-263 (IXTA)
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB