SIZ348DT-T1-GE3 Prezos (USD) [172385unidades de stock]
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- Número de peza:
- SIZ348DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos: rectificadores de ponte and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIZ348DT-T1-GE3 electronic components. SIZ348DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZ348DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIZ348DT-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SIZ348DT-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.12 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
18.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
820pF @ 15V
Potencia: máx :
3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-PowerWDFN
Paquete de dispositivos de provedores :
8-Power33 (3x3)
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