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- Número de peza:
- BUK652R7-30C,127
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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BUK652R7-30C,127 Atributos do produto
Número de peza :
BUK652R7-30C,127
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Serie :
TrenchMOS™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
100A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
114nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
6960pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
204W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220AB
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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