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- Número de peza:
- PHN210,118
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de controlador de enerxía and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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PHN210,118 Atributos do produto
Número de peza :
PHN210,118
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrición :
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Serie :
TrenchMOS™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
6nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
250pF @ 20V
Potencia: máx :
2W
Temperatura de operación :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
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