Infineon Technologies - BSC0921NDIATMA1

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Número de peza:
BSC0921NDIATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC0921NDIATMA1 Atributos do produto

Número de peza : BSC0921NDIATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Serie : OptiMOS™
Estado da parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Función FET : Logic Level Gate, 4.5V Drive
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 17A, 31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 8.9nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1025pF @ 15V
Potencia: máx : 1W
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 8-PowerTDFN
Paquete de dispositivos de provedores : PG-TISON-8

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