Diodes Incorporated - DMHC6070LSD-13

KEY Part #: K6522202

DMHC6070LSD-13 Prezos (USD) [179158unidades de stock]

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Número de peza:
DMHC6070LSD-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrición detallada:
MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMHC6070LSD-13 Atributos do produto

Número de peza : DMHC6070LSD-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrición : MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Función FET : Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 3.1A, 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 11.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 731pF @ 20V
Potencia: máx : 1.6W
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores : 8-SO